テクニカルエンジニア (データベース) H12年春 午前 【問10】
仮想記憶方式のコンピュータにおいて、あるタスクのページのアクセス順序が
(開始) 1、3、2、1、4、5、2、3、4、5 (終了)
のとき、ページアウトの回数は何回になるか。
ここで、実記憶に割り当てられるページ数は3とし、追い出すべきページを選ぶアルゴリズムは、FIFO と LRU の二つを考える。
ア | FIFO では3回、LRU では2回 |
イ | FIFO では3回、LRU では6回 |
ウ | FIFO では4回、LRU では3回 |
エ | FIFO では5回、LRU では4回 |
みんなの正解率: 70% (46人のうち32人が正解)
キーワード: | CA CC EC ECC FIFO LIFO LRU OS RAID アルゴリズム キャッシュメモリ タスク パリティビット ページアウト ロック 仮想記憶方式 和集合 磁気ディスク |
テクニカルエンジニア (データベース) H12年春の全キーワードをみる
解答と解説
解答: | イ |
解説: | LRU 最後に参照されてからの経過時間が最も長いページを置き換える方式。 RAID 複数の外部記憶装置(ハードディスクなど)をまとめて一台の装置として管理する技術。 |
キーワード: | CA CC EC ECC FIFO LIFO LRU OS RAID アルゴリズム キャッシュメモリ タスク パリティビット ページアウト ロック 仮想記憶方式 和集合 磁気ディスク |
みんなの正解率: 70% (46人のうち32人が正解) |
|
スポンサードリンク
この問題のキーワード
CA
CC
EC
ECC
【H25年春】 ECC メモリで、2 ビットの誤りを検出し、1 ビットの誤りを訂正す... | 正解率:80% |
【H21年春】 次の SQL 文の実行結果の説明として、適切なものはどれか。... | 正解率:74% |
FIFO
LRU
OS
RAID
アルゴリズム
キャッシュメモリ
タスク
ページアウト
【H18年春】 ページング方式の仮想記憶において、あるプログラムを実行したとき、1回... | 正解率:55% |
ロック
仮想記憶方式
【H15年春】 仮想記憶方式に関する記述のうち、適切なものはどれか。... | 正解率:48% |
和集合
磁気ディスク
LIFO パリティビット
テクニカルエンジニア (データベース) H12年春の全キーワードをみる
H12年春 設問一覧
テクニカルエンジニア (データベース)の過去年度
H26年春 [ 午前問題 ] | H25年春 [ 午前問題 ] |
H24年春 [ 午前問題 ] | H23年春 [ 午前問題 ] |
H22年春 [ 午前問題 ] | H21年春 [ 午前問題 ] |
H19年春 [ 午前問題 ] | H18年春 [ 午前問題 ] |
H17年春 [ 午前問題 ] | H16年春 [ 午前問題 ] |
H15年春 [ 午前問題 ] | H14年春 [ 午前問題 ] |
H13年春 [ 午前問題 ] | H12年春 [ 午前問題 ] |