情報処理技術者試験-NAVI


基本情報技術者 H22年春 午前 【問24】

フラッシュメモリの説明として、適切なものはどれか。

1 回だけ電気的に書込みができる。
一定時間内に再書込み(リフレッシュ動作)を行う。
書込み、消去とも電気的に行い、一括又はブロック単位で消去する。
書込みは電気的に行い、消去は紫外線によって行う。


       


みんなの正解率:  64%  (2662人のうち1705人が正解)

キーワード:フラッシュメモリ ロック


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解答と解説

解答:
解説:フラッシュメモリ
書込み、消去とも電気的に行い、一括又はブロック単位で消去するメモリ。
キーワード:フラッシュメモリ ロック


みんなの正解率:  64%  (2662人のうち1705人が正解)
      

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