基本情報技術者 H22年春 午前 【問24】
フラッシュメモリの説明として、適切なものはどれか。
ア | 1 回だけ電気的に書込みができる。 |
イ | 一定時間内に再書込み(リフレッシュ動作)を行う。 |
ウ | 書込み、消去とも電気的に行い、一括又はブロック単位で消去する。 |
エ | 書込みは電気的に行い、消去は紫外線によって行う。 |
みんなの正解率: 64% (2662人のうち1705人が正解)
キーワード: | フラッシュメモリ ロック |
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解答と解説
解答: | ウ |
解説: | フラッシュメモリ 書込み、消去とも電気的に行い、一括又はブロック単位で消去するメモリ。 |
キーワード: | フラッシュメモリ ロック |
みんなの正解率: 64% (2662人のうち1705人が正解) |
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