情報処理技術者試験-NAVI


応用情報技術者 H23年秋 午前 【問23】

LSI の故障メカニズムの一つである ESD (Electric Discharge) 故障の説明として、適切なものはどれか。

機械的な力によって、配線が切断されてしまう現象
寄生サイリスタの導通によって、半導体素子が破壊されてしまう現象
静電気放電によって、半導体素子が破壊されてしまう現象
電流が過度に流れることによって、配線が切断されてしまう現象


       


みんなの正解率:  71%  (167人のうち118人が正解)

キーワード:ESD LSI 半導体


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解答と解説

解答:
解説:ESD
静電気放電によって、半導体素子が破壊されてしまう現象。
キーワード:ESD LSI 半導体


みんなの正解率:  71%  (167人のうち118人が正解)
      

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この問題のキーワード


LSI
【H28年春】 LSIの省電力制御技術であるパワーゲーティングの説明として、適切なも... 正解率:80%
【H27年春】 SoCの説明として、適切なものはどれか。... 正解率:88%
【H22年秋】 システム LSI に関する記述のうち、適切なものはどれか。... 正解率:55%
【H21年春】 SoC (System on a Chip) の説明はどれか。... 正解率:70%

半導体
【H28年春】 LSIの省電力制御技術であるパワーゲーティングの説明として、適切なも... 正解率:80%
【H28年春】 SoC の説明として、適切なものはどれか。... 正解率:50%
【H27年春】 プロセスイノベーションに関する記述として、適切なものはどれか。... 正解率:67%
【H24年秋】 半導体ファブレス企業の説明として、適切なものはどれか。... 正解率:76%
【H21年春】 メモリインタリーブの説明はどれか。... 正解率:65%

ESD

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